檢索結果：共9筆資料 檢索策略： "注入鎖定除頻器".ckeyword (精準) and year="96"
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此論文提出了三個直接注入鎖定除頻器，第一個是一個低電壓直接注入鎖定除三除頻器，第二是一個低電壓直接注入鎖定除二除頻器，最後是一個低電壓四相位直接注入鎖定除二除頻器，前者使用了標準台積電0.35微米製…
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本論文主要描述二個以變壓器耦合為基礎之電路架構，其分別為“低功率壓控震盪器”以及“新式哈特萊3-D電感注入鎖定除頻器”。此二電路皆採用臺積電所提供之零點一八微米互補式金氧半製程所製造。其中新式低功率…
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此論文提出了三個使用主動電感的注入鎖定除頻器，它們分別使用了標準台積電0.35微米SiGe BiCMOS製程、0.35微米和0.18微米CMOS製程去實現。 主動電感負載電路因為沒有被動電感所以非常…
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壓控振盪器與除頻器是頻率合成器電路中，主要的電路之一。對壓控振盪器而言，低相位雜訊可避免相鄰雜訊訊號經由混波轉換的干擾。而振盪器的輸出則經由除頻器來達成降頻的工作，因此，除頻器需具有高頻操作、寬的操…
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本論文主要描述壓控振盪器與注入鎖定除頻器電路，其分別為“增強Q型電路之低功秏串疊電感電容的12 GHz壓控振盪器”、“雙頻段之多模注入鎖定除頻器”、 “耦合型三級環形振盪器之直接注入鎖定除三除頻器”…
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這論文的第四章提出一個具有除二、除四的注入鎖定除頻器(ILFD)，此ILFD是由3.5GHZ的四相位電壓控制振盪器和用作注入訊號的兩個NMOS所組成。而製作上是採用TSMC 0.18-um CMOS…
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此論文提出了二個壓控振盪器和二個注入鎖定除頻器，它們分別使用了標準台積電0.18微米和0.35微米CMOS製程去實現。 第三章提出一個新型CMOS注入鎖定除頻器，採用0.35-µm CM…
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本論文主要描述四個不同型式的注入鎖定除頻器，其分別為“具有主動電感之注入鎖定除頻器三電路”、“低功率主動電感注入鎖定除頻器”、 “小面積3D transformer注入鎖定除二電路”以及“小面積主動…
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壓控振盪器與除頻器是頻率合成器電路中主要的電路之一。對壓控振盪器而言，低相位雜訊可避免相鄰雜訊訊號經由混波轉換的干擾。而振盪器的輸出則經由除頻器來達成降頻的工作，因此，除頻器需具有高頻操作，寬的操作…